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Interruptor Switch Smart Wifi Tactil Alexa Google 1 Canal 90-250V 10A Negro
Color: negro
Material: PC+Panel de vidrio templado
Voltaje: 90-250V 50/60Hz
Corriente: 10A$66.000 -
Transistor Mosfet HY3912 Canal N 125V 190A TO-247
Designador de tipo: HY3912W
$19.000 -
Transistor Mosfet SUB85N10-10 Canal N 100V 85A TO-263
Designador de tipo: SUB85N10-10
$13.500 -
Control Remoto Interruptor Infrarrojo 1 Canal 5V 10A Upd6122
Con orificios para tornillos fijos de 3 mm, es fácil de instalar.
$31.500$36.000Control Remoto Interruptor Infrarrojo 1 Canal 5V 10A Upd6122
$31.500$36.000 -
Regulador Modulo Mosfet HW-197 IRF540 1 Canal 100V 28A
El lado de control de conexión es mucho más simple,
La placa de expansión del sensor Arduino del puerto de control correspondiente conectada, puede controlar las luces LED de 12V traídas por Arduino.
Experimento, recogimos dos luces LED.$18.000$20.5007 VendidosRegulador Modulo Mosfet HW-197 IRF540 1 Canal 100V 28A
$18.000$20.5007 Vendidos -
Transistor Mosfet Potencia IRF840 500V 8A TO-220 Canal N
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C 8A (Tc)$5.000$6.000 -
Transistor Mosfet Potencia IRF740 400V 10A TO-220 Canal N
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 400 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10A (Tc)$6.300$7.500 -
Transistor Mosfet Potencia IRF640 200V 18A TO-220 Canal N
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C 18A (Tc)$6.000$7.000 -
Transistor Mosfet Potencia IRF540 100V 28A TO-220 Canal N
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C 28A (Tc)$4.600$7.0003 VendidosTransistor Mosfet Potencia IRF540 100V 28A TO-220 Canal N
$4.600$7.0003 Vendidos -
Transistor Mosfet Potencia IRF830 500V 4.5A TO-220 Canal N
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4.5A (Tc)$6.000$7.000 -
Transistor Mosfet Potencia IRF730 400V 5.5A TO-220 Canal N
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 400 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C 5,5 A (Tc)$5.700$6.500 -
Transistor Mosfet Potencia IRF630 200V 9A TO-220 Canal N
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C 9A (Tc)$5.500$8.250 -
Transistor Mosfet Potencia IRF530 100V 14A TO-220 Canal N
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C 14A (Tc)$5.300$8.0001 VendidoTransistor Mosfet Potencia IRF530 100V 14A TO-220 Canal N
$5.300$8.0001 Vendido -
Transistor Mosfet Potencia IRF520 100V 9.2A TO-220 Canal N
MOSFET canal N
VDS = 100 V, ID = 9.2 A, PW = 60W
Baja resistencia en conducción RDS = 0.27 OHM max.$5.600$6.5007 VendidosTransistor Mosfet Potencia IRF520 100V 9.2A TO-220 Canal N
$5.600$6.5007 Vendidos -
Transistor Mosfet Potencia Canal N IRFP064NPBF 55V 110A TO-247
Polaridad del transistor : Canal N
Voltaje de la fuente de drenaje Vds : 55 V
Id de corriente de drenaje continuo : 110A
En Resistance Rds (activado) : 0,008 ohmios$9.300$14.0006 VendidosTransistor Mosfet Potencia Canal N IRFP064NPBF 55V 110A TO-247
$9.300$14.0006 Vendidos -
Transistor Mosfet Potencia Canal P IRF9530N 100V 14A TO-220
Tecnología de proceso avanzada
Clasificación dinámica dv / dt
175 ° C Temperatura de funcionamiento
Cambio rápido
Canal P$9.300$14.00012 VendidosTransistor Mosfet Potencia Canal P IRF9530N 100V 14A TO-220
$9.300$14.00012 Vendidos -
Transistor Mosfet Potencia Canal N IRF3205PBF 55V 110A TO-220
Tecnología de proceso avanzada
Resistencia ultra baja
Clasificación dinámica dv / dt
175 ° C Temperatura de funcionamiento
Cambio rápido
Totalmente clasificado como avalancha
Sin plomo$5.000$7.0009 VendidosTransistor Mosfet Potencia Canal N IRF3205PBF 55V 110A TO-220
$5.000$7.0009 Vendidos -
Transistor Mosfet Canal N FDD8447L 40V 50A TO-252
Aplicaciones: Administración de potencia, inversores industrial
Información Básica
Polaridad del transistor: Canal N
Voltaje drenaje -fuente VDSS: 40 V$8.00010 VendidosTransistor Mosfet Canal N FDD8447L 40V 50A TO-252
$8.00010 Vendidos -
Transistor Mosfet Efecto De Campo 2N7000 Canal N To-92 60V
Polaridad del transistor: Canal N
Intensidad drenador continua Id: 200 uA típico
Voltaje de drenaje fuente Vds: 60 V
Resistencia de activación RDS (on): 1.2 Ohm$7.4001 VendidoTransistor Mosfet Efecto De Campo 2N7000 Canal N To-92 60V
$7.4001 Vendido
