Transistor Mosfet HY3912 Canal N 125V 190A TO-247
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$19.000
Designador de tipo: HY3912W
Designador de tipo: HY3912W
Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de canal de control: canal N
Disipación de potencia máxima (Pd): 349 W
Tensión máxima drenaje-fuente |Vds|: 125 V
Tensión máxima puerta-fuente |Vgs|: 25 V
Tensión máxima de umbral de puerta |Vgs(th)|: 4 V
Corriente máxima de drenaje |Id|: 190 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
Carga total de puerta (Qg): 185 nC
Tiempo de subida (tr): 46 nS
Capacitancia de fuente de drenaje (Cd): 750 pF
Resistencia máxima en estado activo de la fuente de drenaje (Rds): 0,0075 ohmios
Paquete: TO247
LA COMPRA INCLUYE:
1 X TRANSISTOR MOSFET HY3912 125V 190A TO-247
