Transistor Mosfet Potencia IRF530 100V 14A TO-220 Canal N

MOSFET . Es un transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de alta potencia que posee destacadas características que lo hacen ideal para aplicaciones de conmutación y en la modulación por ancho de pulso (PWM).

Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C 14A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) 10 V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs 160 mOhmios a 7 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4 V a 250 µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC a 10 V
Vgs (máx.) ± 20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 458 pF a 25 V

LA COMPRA INCLUYE:

1X TRANSISTOR MOSFET IRF530 100V 14A TO-220