Subtotal: $60.500
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Transistor Tiristor Scr TYN1225 ST TO-220 1200V 25A
Estos SCR estándar de 25 A son adecuados para aplicaciones de propósito general.
$7.5002 VendidosTransistor Tiristor Scr TYN1225 ST TO-220 1200V 25A
$7.5002 Vendidos -
Transistor Triac SCR 70TPS12 1200V 70A TO-247 Alta Potencia
Paquete / Cubierta: Super-247
Empaquetado: Tube
Marca: Vishay Semiconductors
Régimen de corriente: 70 A$24.000$27.5001 VendidoTransistor Triac SCR 70TPS12 1200V 70A TO-247 Alta Potencia
$24.000$27.5001 Vendido -
Transistor Mosfet Potencia Canal N IRF3205PBF 55V 110A TO-220
Tecnología de proceso avanzada
Resistencia ultra baja
Clasificación dinámica dv / dt
175 ° C Temperatura de funcionamiento
Cambio rápido
Totalmente clasificado como avalancha
Sin plomo$5.000$7.0009 VendidosTransistor Mosfet Potencia Canal N IRF3205PBF 55V 110A TO-220
$5.000$7.0009 Vendidos -
Transistor Mosfet Potencia IRF540 100V 28A TO-220 Canal N
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C 28A (Tc)$4.600$7.0003 VendidosTransistor Mosfet Potencia IRF540 100V 28A TO-220 Canal N
$4.600$7.0003 Vendidos -
Transistor Mosfet Potencia IRF520 100V 9.2A TO-220 Canal N
MOSFET canal N
VDS = 100 V, ID = 9.2 A, PW = 60W
Baja resistencia en conducción RDS = 0.27 OHM max.$5.600$6.5007 VendidosTransistor Mosfet Potencia IRF520 100V 9.2A TO-220 Canal N
$5.600$6.5007 Vendidos -
Mosfet Transistor Potencia FQPF50N06 50N06 TO-220F 60V 50A
31A, 60V, RDS (encendido) = 0.022ohm @VGS = 10 V
Carga de puerta baja (típico 31 nC)
Crss baja (típico 65 pF)
Conmutación rápida$6.000$7.0006 VendidosMosfet Transistor Potencia FQPF50N06 50N06 TO-220F 60V 50A
$6.000$7.0006 Vendidos -
Transistor MJE13007 NPN Bipolar 400V 8A 80Watt TO-220
8.0 AMPERES
400 VOLTS
80 WATTS
$4.8004 VendidosTransistor MJE13007 NPN Bipolar 400V 8A 80Watt TO-220
$4.8004 Vendidos -
Transistor Mosfet Pequeña Señal Bsp296 Smd SOT-223 100V 1A
Categoría de producto: MOSFET
RoHS: Detalles
Tecnología: Si
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Cubierta: SOT-223-4$2.4004 VendidosTransistor Mosfet Pequeña Señal Bsp296 Smd SOT-223 100V 1A
$2.4004 Vendidos -
Transistor Mosfet Canal N FDD8447L 40V 50A TO-252
Aplicaciones: Administración de potencia, inversores industrial
Información Básica
Polaridad del transistor: Canal N
Voltaje drenaje -fuente VDSS: 40 V$8.00010 VendidosTransistor Mosfet Canal N FDD8447L 40V 50A TO-252
$8.00010 Vendidos -
Transistor MJE13009g NPN Bipolar 400V 12A 100Watt TO-220
12 AMPERE
NPN SILICON POWER TRANSISTOR
400 VOLTS
100 WATTS$4.000$5.4002 VendidosTransistor MJE13009g NPN Bipolar 400V 12A 100Watt TO-220
$4.000$5.4002 Vendidos -
Transistor Tiristor SCR Unidireccional 2P4M 500V 2A TO-126
Voltaje inverso pico repetitivo máximo: 500 V
Corriente RMS de encendido: 2 A
Corriente transitoria no repetitivo: 20 A$4.0003 VendidosTransistor Tiristor SCR Unidireccional 2P4M 500V 2A TO-126
$4.0003 Vendidos -
Transistor Tiristor SCR TYN1025 1000V 25A TO220
Tiristor SCR, TYN1025
Encapsulado TO-220AB
Voltaje pico en estado apagado 1000V
Corriente RMS en estado encendido 25A$6.000$12.00025 VendidosTransistor Tiristor SCR TYN1025 1000V 25A TO220
$6.000$12.00025 Vendidos -
Transistor Tip32c To-220 PNP Tip32 Transistor De Energia
Simbolo Parametro Valor Unidad
Voltaje de la base colectora VCBO (IE = 0) -100 V
Voltaje colector-emisor VCEO (IB = 0) -100 V
Voltaje VEBO Emitte-base (IC = 0) -5 V
Corriente de colector IC -3 A
Corriente maxima del colector de ICM (tP <5ms) -5 A
IB Corriente de base -1 A
Tstg Temperatura de almacenamiento -65 a 150C
TJ Max. temperatura de union de funcionamiento 150C$3.500$5.000207 VendidosTransistor Tip32c To-220 PNP Tip32 Transistor De Energia
$3.500$5.000207 Vendidos -
Transistor 2N2222 NPN 40V 0.8A TO-92 Paquete x 10 Unidades
El 2N2222, tambien identificado como PN2222, es un transistor bipolar NPN de baja potencia de uso general.
$5.00094 VendidosTransistor 2N2222 NPN 40V 0.8A TO-92 Paquete x 10 Unidades
$5.00094 Vendidos -
Transistor TIP31c TO-220 NPN Tip31 Transistor Energia
- Voltaje de la base colectora VCBO (IE = 0) 100 V
- Voltaje colector-emisor VCEO (IB = 0) 100 V
- Voltaje del emisor de VEBO (IC = 0) 5 V
- Corriente IC Collector 3 A
- Corriente maxima del colector ICM 5 A
- IB corriente de base 1 A
- PTOT
- Disipacion total a Tcase = 25 C 40 W
- Disipacion total en Tamb = 25 C 2 W
- Tstg Temperatura de almacenamiento -65 a 150 C
- TJ Max. temperatura de union de funcionamiento 150
$3.000$4.400102 VendidosTransistor TIP31c TO-220 NPN Tip31 Transistor Energia
$3.000$4.400102 Vendidos -
Transistor Mosfet Potencia IRF530 100V 14A TO-220 Canal N
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C 14A (Tc)$5.300$8.0001 VendidoTransistor Mosfet Potencia IRF530 100V 14A TO-220 Canal N
$5.300$8.0001 Vendido -
Transistor Mosfet Efecto De Campo 2N7000 Canal N To-92 60V
Polaridad del transistor: Canal N
Intensidad drenador continua Id: 200 uA típico
Voltaje de drenaje fuente Vds: 60 V
Resistencia de activación RDS (on): 1.2 Ohm$7.4001 VendidoTransistor Mosfet Efecto De Campo 2N7000 Canal N To-92 60V
$7.4001 Vendido -
Transistor Bipolar NPN BC547 TO-92 45V 0.1A X 10 Unidades
Transistor BC547B pequeña señal. Este dispositivo esta diseñado para conmutacion y amplificacion.
Colector a la tension de ruptura del emisor de 45V
Colector a la tension de saturacion del emisor de 250mV
Disipacion de potencia de 500mW$5.00013 VendidosTransistor Bipolar NPN BC547 TO-92 45V 0.1A X 10 Unidades
$5.00013 Vendidos -
Transistor Potencia Mje13009 Npn 400V 12A TO-3P 100W
El MJE13009 Transistor NPN de potencia esta diseñado para manejar corrientes y voltajes altos, cuenta con un voltaje colector-emisor mínimo de 400V y una corriente máxima de colector 12A.
$13.000 -
Integrado Transistor Potencia 2SC3320 NPN 500V 15A TO-3PN
Designador de tipo: 2SC3320
Material del transistor: Si$15.200