Subtotal: $810.150
CIRCUITOS INTEGRADOS Y TRANSISTORES
-
Integrado Superficial Atmega328p-au Tqfp32
El microcontrolador Atmel AVR RISC de 8 bits de alto rendimiento combina memoria flash ISP de 32 KB con capacidades de lectura mientras escribe, EEPROM 1024B, SRAM de 2 KB, 23 lineas de E / S de proposito general, 32 registros de trabajo de proposito general, tres flexibles temporizador / contadores con modos de comparacion, interrupciones internas y externas, USART programable en serie
$25.50028 VendidosIntegrado Superficial Atmega328p-au Tqfp32
$25.50028 Vendidos -
Integrado Superficial AVR Atmega32a-au Tqfp32
El microcontrolador Microchip AVR RISC de 8 bits de alto rendimiento y baja potencia con memoria flash de programacion automatica de 32KB, SRAM de 2KB, EEPROM de 1KB, convertidor A / D de 8 canales y 10 bits e interfaz JTAG para depuracion en chip. El dispositivo alcanza un rendimiento de 16 MIPS a 16 MHz con una operacion de 2.7-5.5V. Al ejecutar instrucciones potentes en un solo ciclo de reloj, el dispositivo alcanza rendimientos cercanos a 1 MIPS por MHz, lo que le permite optimizar el consumo de energia frente a la velocidad de procesamiento.
$32.000$37.0008 VendidosIntegrado Superficial AVR Atmega32a-au Tqfp32
$32.000$37.0008 Vendidos -
Transistor Bipolar NPN BC547 TO-92 45V 0.1A X 10 Unidades
Transistor BC547B pequeña señal. Este dispositivo esta diseñado para conmutacion y amplificacion.
Colector a la tension de ruptura del emisor de 45V
Colector a la tension de saturacion del emisor de 250mV
Disipacion de potencia de 500mW$5.00013 VendidosTransistor Bipolar NPN BC547 TO-92 45V 0.1A X 10 Unidades
$5.00013 Vendidos -
Transistor Mosfet HY3912 Canal N 125V 190A TO-247
Designador de tipo: HY3912W
$19.000 -
Transistor Mosfet SUB85N10-10 Canal N 100V 85A TO-263
Designador de tipo: SUB85N10-10
$13.500 -
Integrado Mbr20100ct Mbr20100 TO-220 Diodo Rectificador
Esta serie utiliza el principio de barrera Schottky con una barrera metálica de platino. Estos dispositivos de última generación tienen las siguientes características:
$4.500 -
Integrado Amplificador Operacional Ne5532 Ne5532p Dip8
El Amplificador Operacional Dual NE5532 ofrece una combinación de alta ganancia y claridad.
$3.750 -
Memoria Flash MX25L3206E Sop-8 32MBIT
FLASH SERIE CMOS DE 32M-BIT [x 1 / x 2] SOP8 200mil
$10.000$12.000Memoria Flash MX25L3206E Sop-8 32MBIT
$10.000$12.000 -
Circuito Integrado Original Atmega16u2 QFN-32 Superficial
El microcontrolador Microchip de 8 bits AVR RISC de alto rendimiento y bajo consumo combina memoria flash ISP de 16KB.
$23.500$27.000Circuito Integrado Original Atmega16u2 QFN-32 Superficial
$23.500$27.000 -
Circuito Integrado Stm32f401cbu6 Qfpn-48 Arm 32bit
Línea de eficiencia dinámica con BAM (modo de adquisición por lotes)
Fuente de alimentación de 1,7 V a 3,6 V
Rango de temperatura de -40 °C a 85/105/125 °C$46.000 -
Transistor D882 2SD882 3A 40V TO-126 NPN
El dispositivo es un transistor NPN fabricado con tecnología planar que da como resultado dispositivos robustos de alto rendimiento. El tipo PNP complementario es 2SB772.
$3.500 -
Tarjeta Modulo Driver ULN2803A CJMCU-2803 50V 500mA Darlington
Corriente de colector nominal de 500 mA (salida única)
Salida de alto voltaje: 50 V
Diodo de abrazadera de salida
Entrada compatible con varios tipos de lógica$13.000$16.000 -
Circuito Integrado TL494 TL494CN Modulador Ancho Pulso Pwm
PC de escritorio
Hornos de microondas
Fuentes de alimentación: CA / CC, aislada, con PFC,> 90 W$4.000 -
Circuito Integrado SG3525 SG3525A Modulador Ancho Pulso Pwm 100Hz a 400kHz
Funcionamiento de 8.0 V a 35 V
5,1 V 1,0% Referencia recortada
Rango de oscilador de 100 Hz a 400 kHz
Pin de sincronización del oscilador separado$4.600$7.000 -
Transistor Triac Scr BTA41-600B 600V 40A TO-3P Alta Potencia
Tipo de Triac Estándar
Voltaje – Fuera de estado 600 V
Corriente – En estado (It (RMS)) (máx.) 40 A$12.000$14.000Transistor Triac Scr BTA41-600B 600V 40A TO-3P Alta Potencia
$12.000$14.000 -
Transistor Mosfet Potencia IRF840 500V 8A TO-220 Canal N
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C 8A (Tc)$5.000$6.000 -
Transistor Mosfet Potencia IRF740 400V 10A TO-220 Canal N
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 400 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10A (Tc)$6.300$7.500 -
Transistor Mosfet Potencia IRF640 200V 18A TO-220 Canal N
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C 18A (Tc)$6.000$7.000 -
Transistor Mosfet Potencia IRF830 500V 4.5A TO-220 Canal N
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4.5A (Tc)$6.000$7.000 -
Transistor Mosfet Potencia IRF730 400V 5.5A TO-220 Canal N
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 400 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C 5,5 A (Tc)$5.700$6.500