Transistor Mosfet SUB85N10-10 Canal N 100V 85A TO-263
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$13.500
Designador de tipo: SUB85N10-10
Designador de tipo: SUB85N10-10
Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de canal de control: canal N
Disipación de potencia máxima (Pd): 250 W
Tensión máxima drenaje-fuente |Vds|: 100 V
Tensión máxima puerta-fuente |Vgs|: 20 V
Tensión máxima de umbral de puerta |Vgs(th)|: 3 V
Corriente máxima de drenaje |Id|: 85 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
Carga total de puerta (Qg): 105 nC
Tiempo de subida (tr): 90 nS
Capacitancia de fuente de drenaje (Cd): 665 pF
Resistencia máxima en estado activo de la fuente de drenaje (Rds): 0,0105 ohmios
Paquete: TO-263
LA COMPRA INCLUYE:
1 X TRANISTOR MOSFET SUB85N10-10 100V 85A TO-263
Información adicional
| Peso | 0.01 kg |
|---|---|
| Dimensiones | 0.01 × 0.01 × 0.01 cm |
