Transistor Mosfet Potencia IRF520 100V 9.2A TO-220 Canal N

$4.250

20 disponibles

MOSFET canal N
VDS = 100 V, ID = 9.2 A, PW = 60W
Baja resistencia en conducción RDS = 0.27 OHM max.

MOSFET . Es un transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de alta potencia que posee destacadas características que lo hacen ideal para aplicaciones de conmutación y en la modulación por ancho de pulso (PWM).

MOSFET canal N
VDS = 100 V, ID = 9.2 A, PW = 60W
Baja resistencia en conducción RDS = 0.27 OHM max.
Especificaciones dadas para avalanchas repetitivas y dv/dt dinámicos
Temperatutra de operación hasta 175 ºC
Conmutación rápida
Fácil de poner en paralelo
Encapsulado: TO-220AB

LA COMPRA INCLUYE:

1X TRANSISTOR MOSFET IRF520 100V 9.2A TO-220

Información adicional

Peso 0.001 kg
Dimensiones 0.001 × 0.001 × 0.001 cm

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