Transistor Mosfet Efecto De Campo 2N7000 Canal N To-92 60V

$7.400

15 disponibles

Polaridad del transistor: Canal N
Intensidad drenador continua Id: 200 uA típico
Voltaje de drenaje fuente Vds: 60 V
Resistencia de activación RDS (on): 1.2 Ohm

Transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N 2N7000,

Estos transistores de efecto de campo de modo de mejora de canal N se producen utilizando la tecnología DMOS de alta densidad de celdas patentada por ON Semiconductor. Estos productos han sido diseñados para minimizar la resistencia en estado activo al tiempo que brindan un rendimiento de conmutación rápido, confiable y resistente. Se pueden utilizar en la mayoría de las aplicaciones que requieren hasta 400 mAdc y pueden suministrar corrientes pulsadas de hasta 2A.
Estos productos son particularmente adecuados para aplicaciones de baja tensión y baja corriente, como el control de servomotores pequeños, controladores de compuerta MOSFET de potencia y otras aplicaciones de conmutación.

Características:
Diseño de celda de alta densidad para bajo RDS (activado)
Interruptor de señal pequeña controlado por voltaje
Robusto y confiable
Capacidad de corriente de alta saturación
Este dispositivo no contiene Pb ni halógenos

Polaridad del transistor: Canal N
Intensidad drenador continua Id: 200 uA típico
Voltaje de drenaje fuente Vds: 60 V
Resistencia de activación RDS (on): 1.2 Ohm
Tensión Vgs de medición Rds (on): 10 V
Tensión Umbral Vgs: 2.1 V
Disipación de potencia Pd: 400 mW
Temperatura de operación máxima: 150 °C
Encapsulado: TO-92
Pines: 3

LA COMPRA INCLUYE:

10 x TRANSISTOR MOSFET 2n7000 TO92

Información adicional

Peso 0.01 kg
Dimensiones 1 × 1 × 1 cm

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