Subtotal: $14.000
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Modulo Mosfet FR120N Regulador Pwm Potencia 100V 9.4A
- Inicio de alto nivel, parada de bajo nivel, regulacion de velocidad PWM
- Ampliamente utilizado para controlar el arranque y la parada del motor, la valvula solenoide y otros equipos tributarios
$14.000$15.00033 VendidosModulo Mosfet FR120N Regulador Pwm Potencia 100V 9.4A
$14.000$15.00033 Vendidos -
Shield Ramps 1.6 Version Mejorada Impresora 3d Mosfet 12-24V 270W
Ramps 1.6 esta optimizado y lanzado en base a Ramps 1.4 y Ramps 1.5
Es casi igual que las Ramps 1.5, la diferencia es que las Ramps 1.6 tienen nuevos conectores de 2 pines, que son mas simples y convenientes de conectar, tampoco se quemaran facilmente, ademas, las Rampas 1.6 tienen un buen disipador de calor por encima del tubo MOS para dar un mejor funcion para disipar el calor.$70.000$80.5009 VendidosShield Ramps 1.6 Version Mejorada Impresora 3d Mosfet 12-24V 270W
$70.000$80.5009 Vendidos -
Transistor Mosfet Potencia IRF840 500V 8A TO-220 Canal N
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C 8A (Tc)$5.000$6.000 -
Transistor Mosfet Potencia IRF740 400V 10A TO-220 Canal N
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 400 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10A (Tc)$6.300$7.500 -
Transistor Mosfet Potencia IRF640 200V 18A TO-220 Canal N
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C 18A (Tc)$6.000$7.000 -
Transistor Mosfet Potencia IRF830 500V 4.5A TO-220 Canal N
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4.5A (Tc)$6.000$7.000 -
Transistor Mosfet Potencia IRF730 400V 5.5A TO-220 Canal N
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 400 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C 5,5 A (Tc)$5.700$6.500 -
Transistor Mosfet Potencia IRF630 200V 9A TO-220 Canal N
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C 9A (Tc)$5.500$8.250 -
Transistor Mosfet Potencia IRF530 100V 14A TO-220 Canal N
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C 14A (Tc)$5.300$8.000 -
Transistor Mosfet Potencia Canal N IRFP064NPBF 55V 110A TO-247
Polaridad del transistor : Canal N
Voltaje de la fuente de drenaje Vds : 55 V
Id de corriente de drenaje continuo : 110A
En Resistance Rds (activado) : 0,008 ohmios$9.300$14.0006 VendidosTransistor Mosfet Potencia Canal N IRFP064NPBF 55V 110A TO-247
$9.300$14.0006 Vendidos -
Transistor Mosfet Potencia Canal P IRF9530N 100V 14A TO-220
Tecnología de proceso avanzada
Clasificación dinámica dv / dt
175 ° C Temperatura de funcionamiento
Cambio rápido
Canal P$9.300$14.00012 VendidosTransistor Mosfet Potencia Canal P IRF9530N 100V 14A TO-220
$9.300$14.00012 Vendidos -
Transistor Mosfet Canal N FDD8447L 40V 50A TO-252
Aplicaciones: Administración de potencia, inversores industrial
Información Básica
Polaridad del transistor: Canal N
Voltaje drenaje -fuente VDSS: 40 V$8.00010 VendidosTransistor Mosfet Canal N FDD8447L 40V 50A TO-252
$8.00010 Vendidos